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| 브랜드 이름: | Infineon |
| 모델 번호: | FF200R12KT4 |
| MOQ: | 1 세트 |
| 지불 조건: | T는 / T |
| 공급 능력: | 1000sets |
반 교량 62mm C 시리즈 1200의 볼트의 변환장치 이중 IGBT 단위 FF200R12KT4 동력 장치 단위
최대 정격 가치
| 수집가 이미터 전압 | Tvj = 25°C | VCES | 1200년 | V |
| 지속적인 DC 수집가 현재 | TC = 100°C, 최대 Tvj = 175°C TC = 25°C, 최대 Tvj = 175°C |
IC nom IC |
200 320 |
A A |
| 반복적인 최고봉 수집가 현재 | tP = 1명의 Ms | ICRM | 400 | A |
| 총계 전력 흩어지기 |
TC = 25°C, 최대 Tvj = 175°C |
Ptot | 1100년 | W |
| 문 이미터 최고봉 전압 | VGES | +/- 20 | V |
고유값
| 수집가 이미터 포화 전압 |
IC = 200 A, VGE = 15의 볼트 Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15의 볼트 Tvj = 125°C |
앉히는 VCE | 1,75년 2,05 2,10 |
2,15 | V VV |
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| 문 문턱 전압 | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| 문 책임 | VGE = -15의 볼트… +15의 볼트 | QG | 1,80년 | µC | ||
| 내부 문 저항기 | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| 입력 용량 | f = 1개 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25의 볼트, VGE = 0개의 볼트 | Cies | 14,0년 | nF | ||
| 반전 이동 용량 | f = 1개 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25의 볼트, VGE = 0개의 볼트 | Cres | 0,50 | nF | ||
| 수집가 이미터 커트오프 현재 | VCE = 1200의 볼트, VGE = 0개의 볼트, Tvj = 25°C | 얼립니다 | 5,0 | mA | ||
| 문 이미터 누설 현재 | VCE = 0개의 볼트, VGE = 20의 볼트, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| 지연 시간회전에, 유도 짐 | IC = 200 A, VCE = 600의 볼트 Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
위에 td | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
||
| 오름 시간, 유도 짐 | IC = 200 A, VCE = 600의 볼트 Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tr | 0,045 0,04 0,50 |
µs µs µs |
||
| 회전 떨어져 지연 시간, 유도 짐 | IC = 200 A, VCE = 600의 볼트 Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
떨어져 td | 0,45 0,52 0,54 |
µs µs µs |
||
| 낙하시간, 유도 짐 | IC = 200 A, VCE = 600의 볼트 Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TF | 0,10 0,16 0,16 |
µs µs µs |
||
| 맥박 당 에너지 손실회전 에 | IC = 200 A, VCE = 600의 볼트, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
누대 | 10,0년 15,0년 17,0년 |
19,0년 30,0 36,0 |
||
| 맥박 당 회전 떨어져 에너지 손실 | IC = 200 A, VCE = 600의 볼트, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 14,0년 20,0년 23,0 |
mJ mJ mJ |
||
| SC 자료 | VGE ≤ 15 V, VCC = 900의 볼트 VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C |
ISC | 800 | mJ mJ mJ |
||
| 내열성, 케이스에 접속점 | IGBT 당 IGBT/ | RthJC | 0,135 | K/W | ||
| 내열성, caseto 열 싱크 | IGBT 당 각 IGBT/ λPaste = 1에 (m·K)/λgrease = 1에 (m·K) |
RthCH | 0,034 | K/W | ||
| 엇바꾸기 조건 하에서 온도 | op Tvj | -40 | 150 |
°C
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