Name: 활동 1500.0 A IGBT5 - E5 자동 IGBT Modul 고성능 변환기 FF1500R12IE5는 이중으로 합니다
Brand: Infineon
SKU: FF1500R12IE5
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (163 reviews)

홈 제품 소개 IGBT 파워 모듈

활동 1500.0 A IGBT5 - E5 자동 IGBT Modul 고성능 변환기 FF1500R12IE5는 이중으로 합니다

제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	Infineon
모델 번호:	FF1500R12IE5

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	1 세트
포장 세부 사항:	나무 상자 패킹
배달 시간:	계약을 서명한 후에 25 일
지불 조건:	T는 / T
공급 능력:	1000sets

접촉

상세 제품 설명

VCES:

1200V

IC nom:

1500A

ICRM:

3000A

애플 리케이션:

모터 드라이브

하이 라이트:

고성능 igbt 단위

eupec igbt 단위

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

잠재적인 신청
• UPS 체계
• 고성능 변환기
• 태양 신청
• 모터 드라이브

전기 특징
• op Tvj = 175°C
• op 장시간 작용 온도 Tvj
• 탁월한 강건함
• 트렌치 IGBT 5
• 높은 단락 기능

기계적인 특징
• CTI>400를 가진 포장
• 고성능 조밀도
• 고성능 및 열 순환 기능
• 높은 creepage와 정리 거리

IGBT 변환장치
최대 정격 가치

수집가 이미터 전압	Tvj = 25°C	VCES	1200년	V
지속적인 DC 수집가 현재	TC = 100°C, 최대 Tvj = 175°C	IC nom	1500년	A
반복적인 최고봉 수집가 현재	tP = 1명의 Ms	ICRM	3000	A
문 이미터 최고봉 전압	VGES	+/- 20	V

고유값 min. typ. 최대.

수집가 이미터 포화 전압	IC = 1500년 A, VGE = 15의 볼트 IC = 1500년 A, VGE = 15의 볼트 IC = 1500년 A, VGE = 15의 볼트 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	앉히는 VCE	1,70년 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
문 문턱 전압	IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,25	5,80	6,35	V
문 책임	VGE = -15의 볼트… +15의 볼트, VCE = 600V	QG	7,15	µC
내부 문 저항기	Tvj = 25°C	RGint	0,6	Ω
입력 용량	f = 1개 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25의 볼트, VGE = 0개의 볼트	Cies	82,0	nF
반전 이동 용량	f = 1개 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25의 볼트, VGE = 0개의 볼트	Cres	3,25	nF
수집가 이미터 커트오프 현재	VCE = 1200의 볼트, VGE = 0개의 볼트, Tvj = 25°C	얼립니다	5,0	mA
문 이미터 누설 현재	VCE = 0개의 볼트, VGE = 20의 볼트, Tvj = 25°C	IGES	400	nA
지연 시간회전에, 유도 짐	IC = 1500년 A, VCE = 600의 볼트 VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	위에 td	0,26 0,28 0,28	µs µs µs
오름 시간, 유도 짐	IC = 1500년 A, VCE = 600의 볼트 VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	tr	0,16 0,17 0,18	µs µs µs
회전 떨어져 지연 시간, 유도 짐	IC = 1500년 A, VCE = 600의 볼트 VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	떨어져 td	0,51 0,56 0,59	µs µs µs
낙하시간, 유도 짐	IC = 1500년 A, VCE = 600의 볼트 VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	TF	0,09 0,11 0,13	µs µs µs
맥박 당 에너지 손실회전 에	IC = 1500년 A, VCE = 600의 볼트, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C) RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	누대	120 180 215	mJ mJ mJ
맥박 당 회전 떨어져 에너지 손실	IC = 1500년 A, VCE = 600의 볼트, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C) RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	Eoff	155 195 220	mJ mJ mJ
SC 자료	VGE ≤ 15 V, VCC = 900의 볼트 VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C	ISC	5600	A
내열성, 케이스에 접속점	IGBT 당 각 IGBT/	RthJC	19,5년	K/kW
내열성, 열 싱크에 케이스	IGBT 당 각 IGBT/ λPaste = 1에 (m·K)/λgrease =1를 가진 (m·K)	RthCH	12,5년	K/kW
엇바꾸기 조건 하에서 온도	op Tvj	-40	175	°C